IRLR120TRPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, DPAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Chan 100V 7.7 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRLR120TRPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2083451

Технические параметры

Вес, г

1.5

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

PCB changed

Package Height

2.39(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

DPAK

Standard Package Name

TO-252

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2000

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRLR120 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-Pak

Технология

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

7.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 4.6A, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±10

Maximum Continuous Drain Current (A)

7.7

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

270@5V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

12(Max)@5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

490@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

9.8

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet IRLR120TRPBF , pdf , 1300 КБ
Datasheet , pdf , 1281 КБ

IRLR120TRPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация