ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJW21194G, Транзистор биполярный стандартный, TO-3P-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NJW21194G, Транзистор биполярный стандартный, TO-3P-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJW21194G, Транзистор биполярный стандартный, TO-3P-3
Последняя цена
830 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NJW21194G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2083267
Технические параметры
Вес, г
10
Base Product Number
NJW21194 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
16A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 8A, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
4MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max
200W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-3P-3L
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 3.2A, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 В пост. тока
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
15.8мм
Maximum Collector Base Voltage
400 V dc
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
250 В
Package Type
TO-3P
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
5мм
Maximum DC Collector Current
16 А
Height
20.1мм
Pin Count
2
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
8
Collector-Emitter Breakdown Voltage
250V
Pd - Power Dissipation
200W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Максимальный пост. ток коллектора
16 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 118 КБ
Datasheet , pdf
, 238 КБ