ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SA1774T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 150мВт, SC75 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2SA1774T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 150мВт, SC75
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SA1774T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 150мВт, SC75
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2SA1774T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2083262
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.01
Base Product Number
2SA1774 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
140MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-75, SOT-416
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-75, SOT-416
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Length
1.6 mm
Brand
ON Semiconductor
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Width
0.8 mm
Maximum DC Collector Current
0.1 A
Height
0.75 mm
Pd - Power Dissipation
150 mW
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.75 mm
Длина
1.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
2SA1774
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-75-3
Ширина
0.8 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
140 MHz
Технология
Si
Series
2SA1774
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape or Reel
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min
120
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.000089 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.5 V
Gain Bandwidth Product FT
140 MHz
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 166 КБ
Datasheet , pdf
, 164 КБ
Datasheet , pdf
, 100 КБ