FQPF10N20C, Транзистор: N-MOSFET; 200В; 6А; 38Вт; TO220F, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• Лавинное тестирование 100%
• Типичное значение заряда затвора 20нКл
• Типичное значение Crss 40.5пФ

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQPF10N20C

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2082538

Технические параметры

Вес, г

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220F

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Height

9.19mm

Maximum Drain Source Voltage

200 В

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220F

Width

4.7мм

Pin Count

Серия

QFET

Длина

10.16мм

Высота

9.19мм

Размеры

10.16 x 4.7 x 9.19мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

FQPF1 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

9,5 A

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

360 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

395 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

38W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 4.75A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

9.5 A

Maximum Power Dissipation

38 Вт

Series

QFET

Maximum Drain Source Resistance

360 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

20 нКл при 10 В

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Типичное время задержки выключения

70 нс

Типичное время задержки включения

11 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

20 nC @ 10 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FQPF10N20C , pdf , 715 КБ

FQPF10N20C, Транзистор: N-MOSFET; 200В; 6А; 38Вт; TO220F - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация