NTH4L040N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3780 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTH4L040N120SC1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2082142

Технические параметры

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Торговая марка

ON Semiconductor

Полярность транзистора

N Канал

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

NTH4L040 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-4

Технология

SiC

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

58A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1762pF @ 800V

Power Dissipation (Max)

319W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 35A, 20V

Technology

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Vgs (Max)

+25V, -15V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.3V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 20V

Transistor Mounting

Through Hole

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

58А

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Рассеиваемая Мощность

319Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.04Ом

MOSFET Configuration

Single

Техническая документация

Datasheet NTH4L040N120SC1 , pdf , 277 КБ
Datasheet NTH4L040N120SC1 , pdf , 372 КБ
Datasheet NTH4L040N120SC1 , pdf , 368 КБ

NTH4L040N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 3780 руб.

Техническая документация