ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC858CW-7-F, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 100мА; 200мВт; SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 100мА; 200мВт; SOT323
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC858CW-7-F, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 100мА; 200мВт; SOT323
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BC858CW-7-F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2080894
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.1
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
420@2mA@5V
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
420 at -2 mA, - 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC858
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
200 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-650 mV
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
650 mV
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Type
PNP
Product Category
Bipolar Small Signal
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.95@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Maximum Transition Frequency (MHz)
200(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT-323
Supplier Package
SOT-323
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1(Max)
Package Length
2.2(Max)
Package Width
1.35(Max)
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-950 mV
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Supplier Temperature Grade
Automotive
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 210 КБ
Datasheet , pdf
, 198 КБ