MMDT5401-7-F, Транзистор: PNP; биполярный, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 42 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

MMDT5401-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2080266

Технические параметры

Вес, г

0.1

Base Product Number

MMDT5401 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-363

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

150V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

300 MHz

Number of Elements per Chip

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

-160 V

Transistor Configuration

Isolated

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

150 V

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

200 mA

Height

1mm

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности:

200 mW

Вид монтажа:

SMD/SMT

Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

Конфигурация:

Dual

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:

240

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора:

0.2 A

Напряжение коллектор-база (VCBO):

- 160 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

- 150 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

- 0.5 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

- 5 V

Непрерывный коллекторный ток:

- 0.2 A

Подкатегория:

Transistors

Полярность транзистора:

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

300 MHz

Производитель:

Diodes Incorporated

Размер фабричной упаковки:

3000

Технология:

Тип продукта:

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка:

Diodes Incorporated

Упаковка / блок:

SOT-363-6

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1 V

Высота:

1 mm

Длина:

2.2 mm

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Ширина:

1.35 mm

Серия:

MMDT54

Техническая документация

Datasheet MMDT5401-7-F , pdf , 368 КБ
Datasheet MMDT5401-7-F , pdf , 375 КБ

MMDT5401-7-F, Транзистор: PNP; биполярный - характеристики, поставщики

Последняя цена 42 руб.

Техническая документация