MMDT5551-7-F, Транзистор: NPN; биполярный, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

MMDT5551-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2079972

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.1

Base Product Number

MMDT5551 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-363

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

160V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Изолированный

Pin Count

Minimum DC Current Gain

30@50mA@5V|80@10mA@5V|80@1mA@5V

Максимальное напряжение коллектор-база

-180 В

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.35мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,2 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Configuration

Dual

Maximum Collector Base Voltage (V)

180

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

160

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1@5mA@50mA|1@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.2

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

200

Maximum Transition Frequency (MHz)

300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT-26

Supplier Package

SOT-363

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

Package Length

2.15

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Максимальный пост. ток коллектора

200 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Supplier Temperature Grade

Automotive

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 175 КБ
Datasheet MMDT5551-7-F , pdf , 138 КБ

MMDT5551-7-F, Транзистор: NPN; биполярный - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация