BC858BLT1G, Транзистор биполярный, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

BC858BLT1G - это биполярный транзистор общего назначения PNP, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройство размещено в корпусе, предназначенном для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.

• Соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BC858BLT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2079820

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.05

Base Product Number

BC858 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Pd - Power Dissipation

300mW

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

0.94 x 2.9 x 1.3мм

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC858BL

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3мм

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,65 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Техническая документация

Datasheet , pdf , 84 КБ
Datasheet , pdf , 149 КБ
Datasheet , pdf , 210 КБ
Datasheet , pdf , 149 КБ

BC858BLT1G, Транзистор биполярный - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация