IXTP4N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 100Вт, TO220-3, 600нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 3.5 Amps 800V 3 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP4N80P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2079043

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.82 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTP4N80

Торговая марка

IXYS

Длина

10.66 mm

Высота

9.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

3.5 A

Pd - рассеивание мощности

100 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

100W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 100ВµA

Series

PolarHVв„ў ->

Время нарастания

24 ns

Время спада

29 ns

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.2nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTP4N80P , pdf , 219 КБ
Datasheet IXTP4N80P , pdf , 169 КБ
Datasheet IXTP4N80P , pdf , 174 КБ

IXTP4N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 100Вт, TO220-3, 600нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация