ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBK75N170 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBK75N170
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBK75N170
Последняя цена
9160 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole TO-264
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2076337
Технические параметры
Base Product Number
IXB*75N170 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264
Current - Collector (Ic) (Max)
200A
Current - Collector Pulsed (Icm)
580A
Gate Charge
350nC
Power - Max
1040W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700V
Reverse Recovery Time (trr)
1.5Вµs
Series
BIMOSFETв„ў ->
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXBK75N170 , pdf
, 230 КБ
