BC846BWT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SC-70-3 (SOT323), инфо: Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W

• AECQ101 qualified and PPAP capable

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2074948

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.03

Base Product Number

BC846 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

150mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 МГц

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Transistor Configuration

Одиночный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

65 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

150 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 мА

Height

0.9мм

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

110

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

150

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC846BW

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.24 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.1

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

150

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-323

Supplier Package

SC-70

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.85

Package Length

2.1

Package Width

1.24

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 106 КБ
Datasheet , pdf , 179 КБ
Datasheet , pdf , 111 КБ

BC846BWT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 25 руб.

Техническая документация