BCW66GLT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.225 Вт

BCW66GLT1G - это биполярный транзистор общего назначения NPN, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройство размещено в корпусе, предназначенном для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.

• Соответствует стандарту AECQ101 и поддерживает PPAP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2074930

Технические параметры

Вес, г

0.03

Base Product Number

BCW66 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

800mA

Current - Collector Cutoff (Max)

20nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum DC Collector Current

800mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

300mW

Техническая документация

Datasheet , pdf , 144 КБ
Datasheet BCW66GLT1G , pdf , 84 КБ

BCW66GLT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 23 руб.

Техническая документация