ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD50R280CEAUMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD50R280CEAUMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD50R280CEAUMA1
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2042826
Технические параметры
Вес, г
4
Ширина
6.22 mm
Высота
2.3 mm
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
6.5 mm
Другие названия товара №
IPD50R280CE SP001396382
Категория продукта
МОП-транзистор
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
CoolMOS CE
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-252-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
18.1A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
119W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
280mО© @ 4.2A,13V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500V
Vgs - Gate-Source Voltage
3.5V @ 350uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1192 КБ
Datasheet IPD50R280CEAUMA1 , pdf
, 1246 КБ
