BCR10PNH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 130 МГц 250 мВт поверхностный монтаж PG-SOT363-6

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2008039

Технические параметры

Base Product Number

BCR10PN ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT363-6

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

250mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCR10

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-363-6

Другие названия товара №

10PN BCR BCR1PNH6327XT H6327 SP000750782

Resistor - Base (R1)

10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 683 КБ
Datasheet BCR10PNH6327XTSA1 , pdf , 526 КБ
Datasheet , pdf , 528 КБ

BCR10PNH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация