ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZUMT618TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZUMT618TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZUMT618TA
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Super323
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2003155
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.005
Base Product Number
ZUMT618 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1.25A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
210MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
385mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 50mA, 1.25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Maximum DC Collector Current
1.25A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Pd - Power Dissipation
385mW
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1.25 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1.25 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
ZUMT618
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.26 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
210 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
155 mV
Техническая документация
Datasheet ZUMT618TA , pdf
, 124 КБ
Datasheet ZUMT618TA , pdf
, 125 КБ
