DXTA42-13, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 300Vceo

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1988628

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.052

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

500mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.5 mm

Длина

4.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

25 at 1 mA, 10 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

500 mA

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

300 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

DXTA42

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.48 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet DXTA42-13 , pdf , 149 КБ
Datasheet , pdf , 134 КБ

DXTA42-13 - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация