SI7949DP-T1-E3 - характеристики, поставщики

SI7949DP-T1-E3

Последняя цена 290 руб.

SI7949DP-T1-E3

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1971467

Технические параметры

Вес, г

0.5066

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PowerPAK SO

Ширина

5.15 mm

Высота

1.04 mm

Transistor Material

Si

Length

6.25mm

Brand

Vishay

Pin Count

8

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6.15 mm

Другие названия товара №

SI7949DP-E3

Категория продукта

МОП-транзистор

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI7

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.2A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

64mО© @ 5A,10V

Transistor Polarity

2 P Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Number of Elements per Chip

1

Maximum Continuous Drain Current

12.5 A

Maximum Power Dissipation

5.2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.26mm

Height

1.12mm

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

P

Configuration

Dual Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

No Lead

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.2

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

64@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

60

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

3500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

8

Product Category

Power MOSFET

Supplier Package

PowerPAK SO

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

26@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

26

Typical Fall Time (ns)

30

Typical Rise Time (ns)

9

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

65

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8

Automotive

No

Military

No

Package Height

1.07(Max)

Package Length

4.9

Package Width

5.89

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

3

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

1

Техническая документация

Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 298 КБ
Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 312 КБ
Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 302 КБ
Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 301 КБ