ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPA20N65C3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPA20N65C3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPA20N65C3
Последняя цена
1120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 650V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1964531
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
6
Ширина
4.85 mm
Высота
16.15 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
20.7 A
Pd - рассеивание мощности
34.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
5 ns
Время спада
4.5 ns
Длина
10.65 mm
Другие названия товара №
SPA2N65C3XK SP000216362 SPA20N65C3XKSA1
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
CoolMOS C3
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
67 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Упаковка
Tube
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
20.7A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
34.5W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
190mО© @ 13.1A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650V
Vgs - Gate-Source Voltage
3.9V @ 1mA
Техническая документация
Datasheet SPA20N65C3 , pdf
, 681 КБ
Datasheet , pdf
, 612 КБ