SI4599DY-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

• Не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21
• Протестировано 100% Rg
• 100% Протестировано UIS

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1942176

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel, P-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

4,7 А, 6,8 А

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт, 3,1 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.55мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

42,5 мОм, 62 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

40 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Id - непрерывный ток утечки

5.8 A, 6.8 A

Pd - рассеивание мощности

3 W, 3.1 W

Qg - заряд затвора

11.7 nC, 25 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

35.5 mOhms, 45 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V, 1.4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10 ns, 12 ns

Время спада

9 ns, 9 ns

Длина

5мм

Другие названия товара №

SI4599DY-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

14 S, 22 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

16 нс, 28 нс

Типичное время задержки при включении

7 ns, 7 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SO-8

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.55мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

16 ns, 44 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

11,7 нКл при 10 В, 25 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

640 пФ при 20 В, 970 пФ при -20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet SI4599DY-T1-GE3 , pdf , 309 КБ
Datasheet SI4599DY-T1-GE3 , pdf , 240 КБ

SI4599DY-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация