BSS316NH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов OptiMOS 2 варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1942159

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.055

Base Product Number

BSS316 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Infineon

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.3mm

Pin Count

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

1 N-Channel

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9мм

Длина

2.9mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

OptiMOS 2

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

BSS316N BSS316NH6327XT H6327 SP000928948

Квалификация

AEC-Q101

Технология

Series

OptiMOSв„ў ->

Максимальное рассеяние мощности

500 mW

Тип корпуса

SOT-23

Канальный режим

Enhancement

Transistor Material

Кремний

Количество каналов

1 Channel

Время нарастания

2.3 ns

Время спада

1 ns

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

1.4 A

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Максимальное сопротивление сток-исток

280 mΩ

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

119 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 15V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 3.7ВµA

Maximum Continuous Drain Current

1.4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

600 pC

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.3 S

Типичное время задержки выключения

5.8 ns

Типичное время задержки при включении

3.4 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 5V

Типичный заряд затвора при Vgs

0.6 nC @ 5 V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet BSS316NH6327XTSA1 , pdf , 232 КБ
Datasheet BSS316NH6327XTSA1 , pdf , 232 КБ

BSS316NH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 5 руб.

Техническая документация