ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXTN25100DZTA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXTN25100DZTA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZXTN25100DZTA
Последняя цена
97 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100V 2.5A 175MHz 2.4W Surface Mount SOT-89-3
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1933671
Технические параметры
Base Product Number
ZXTN25100D ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
175MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
2.4W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
345mV @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum DC Collector Current
2.5A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
2.4W
Техническая документация
Datasheet ZXTN25100DZTA , pdf
, 389 КБ
