STP100N6F7, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 55 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Серия N-Channel STripFET ™ F7, STMicroelectronics
Низковольтные полевые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET ™ F7 имеют более низкое сопротивление устройства в открытом состоянии, уменьшенную внутреннюю емкость и заряд затвора для более быстрой и эффективной работы. переключение.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1933354

Технические параметры

Вес, г

2.738

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Transistor Material

Length

10.4mm

Brand

STMicroelectronics

Series

STripFET F7

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

5,6 мΩ

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Типичный заряд затвора при Vgs

12,6 нКл при 10 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

100A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

125W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

5.6mО© @ 50A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

125 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.6mm

Height

9.15mm

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Dimensions

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Typical Turn-On Delay Time

21.6 ns

Typical Turn-Off Delay Time

28.6 ns

Техническая документация

Datasheet STP100N6F7 , pdf , 494 КБ
Datasheet STP100N6F7 , pdf , 517 КБ

STP100N6F7 - характеристики, поставщики

Последняя цена 55 руб.

Техническая документация