ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
UMG3NTR - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
UMG3NTR
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
UMG3NTR
Последняя цена
66 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA SOT-353
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1926819
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
*MG3 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
UMT5
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Pd - рассеивание мощности
100 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.77 mm
Длина
2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Dual Common Emitter
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
UMG3N
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
UMT-5
Ширина
1.7 mm
Другие названия товара №
UMG3N
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
600
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Техническая документация
Datasheet UMG3NTR , pdf
, 1290 КБ
Datasheet UMG3NTR , pdf
, 1314 КБ
