BSP320SH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.9 А, 1.8 Вт

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1921159

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.12

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное рассеяние мощности

1.8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5 mm

Высота

1.6мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

3 + Tab

Typical Gate Charge @ Vgs

9,7 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSP320 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.9A (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.9A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 20ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2.9 A

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

12 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

25 ns

Время спада

35 ns

Длина

6.5мм

Другие названия товара №

BSP320S H6327 SP001058768

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BSP320

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

25 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Тип корпуса

SOT-223

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Число контактов

3+Tab

Типичный заряд затвора при Vgs

9.7 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.9A(Tj)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 20uA

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

1,8 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.5мм

Maximum Drain Source Resistance

120 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BSP320SH6327XTSA1 , pdf , 486 КБ
Datasheet BSP320SH6327XTSA1 , pdf , 486 КБ
Datasheet BSP320SH6327XTSA1 , pdf , 456 КБ

BSP320SH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация