SI9933CDY-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: SOIC8, АБ

• Без галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1921025

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.1

Максимальный непрерывный ток стока

4 A

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

4мм

Высота

1.55мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

58 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

3.1 W

Qg - заряд затвора

17 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

58 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

50 ns

Время спада

13 ns

Длина

5мм

Другие названия товара №

SI9933CDY-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

11 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI9

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 P-Channel

Типичное время задержки выключения

29 нс

Типичное время задержки при включении

21 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SO-8

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.55мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

21 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В, 8 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

665 pF @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.1W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 P Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 209 КБ
Datasheet SI9933CDY-T1-GE3 , pdf , 271 КБ
Datasheet , pdf , 204 КБ

SI9933CDY-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация