ZVN0545GTA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 28 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1, корпус: SOT223, АБ

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1918085

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.23

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Polarity

N Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

6.7mm

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.7мм

Height

1.65мм

Pin Count

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип транзистора

1 N-Channel

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65 mm

Длина

6.7 mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Конфигурация

Single Dual Drain

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZVN0545

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7 mm

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Число контактов

3 + Tab

Канальный режим

Enhancement

Transistor Material

Материал транзистора

Кремний

Тип

FET

Количество каналов

1 Channel

Время нарастания

7 ns

Время спада

10 ns

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

140 mA

Vds - напряжение пробоя сток-исток

450 V

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

50 Ω

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

50 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

140mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Maximum Continuous Drain Current

140 mA

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Maximum Drain Source Voltage

450 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

140mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

450V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 344 КБ
Datasheet ZVN0545GTA , pdf , 313 КБ

ZVN0545GTA - характеристики, поставщики

Последняя цена 28 руб.

Техническая документация