PMV213SN,215, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.9 А, 2 Вт

N-канальный MOSFET, 100 В и выше, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1915643

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 A

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

PMV213 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 20V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

280mW (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

2 W

Qg - заряд затвора

7 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5 ns

Время спада

3 ns

Длина

3мм

Другие названия товара №

PMV213SN T/R

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Micro Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

9.5 ns

Типичное время задержки при включении

5.5 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,5 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

330 пФ при 20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

280mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet PMV213SN,215 , pdf , 259 КБ
Datasheet PMV213SN,215 , pdf , 248 КБ
Datasheet PMV213SN.215 , pdf , 260 КБ
Datasheet , pdf , 346 КБ

PMV213SN,215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация