IPN60R600P7SATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1915443

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.1166

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

7 W

Qg - заряд затвора

9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

490 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6 ns

Время спада

19 ns

Другие названия товара №

IPN60R600P7S SP001681930

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

37 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-3

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IPN60R600P7SATMA1 , pdf , 1224 КБ
Datasheet IPN60R600P7SATMA1 , pdf , 1163 КБ

IPN60R600P7SATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация