ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SSM3J338R.LF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
SSM3J338R.LF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SSM3J338R.LF
Последняя цена
62 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор Vdss= -12V, ID= -6A
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1914505
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.008
Ширина
1.8 mm
Высота
0.9 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
1 W
Qg - заряд затвора
19.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
45.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
2.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
U-MOSVII
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
17 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SSM3J338
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
383 ns
Типичное время задержки при включении
65 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
SOT-23F-3
Техническая документация
Datasheet SSM3J338R.LF , pdf
, 351 КБ