ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SSM3K17FU,LF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
SSM3K17FU,LF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SSM3K17FU,LF
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=0.1A VDSS=50V
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1914199
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Series
ПЂ-MOSV ->
Base Product Number
TC74VHC164 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7pF @ 3V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)
150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 4V
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
USM
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±7V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1ВµA
Id - непрерывный ток утечки
100 mA
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
50 V
Vgs - напряжение затвор-исток
4 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
900 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
20 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SSM3K17FU
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
100 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
SOT-323-3
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet SSM3K17FU.LF , pdf
, 168 КБ
Datasheet SSM3K17FU,LF , pdf
, 172 КБ
