BSH108,215, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.9 А, 0.83Вт

BSH108.215 - это N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе, использующий технологию TrenchMOS ™ 1. Он подходит для использования в системах управления батареями, высокоскоростном переключателе и маломощных преобразователях постоянного тока в постоянный.

• Очень быстрое переключение
• Совместимость на логическом уровне
• Сверхминиатюрный корпус для поверхностного монтажа
• От -65 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1913958

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

1.9 A

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSH108 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

830 mW

Qg - заряд затвора

6.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns

Время спада

26 ns

Длина

3мм

Другие названия товара №

BSH108 T/R

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel MOSFET

Типичное время задержки выключения

15 нс

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6.4 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

190 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.9A(Tsp)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

830mW(Tsp)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet BSH108,215 , pdf , 319 КБ
Datasheet , pdf , 415 КБ

BSH108,215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация