IKW20N60T, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 481 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1898864

Технические параметры

Длина

15.9 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Высота

20.95 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05V @ 15V,20A

Product Type

Trench Field Stop

Pd - рассеивание мощности

166 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

40 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886

Серия

TRENCHSTOP IGBT

Технология

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Maximum DC Collector Current

40A

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

5.7V @ 290uA

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IKW20N60T , pdf , 436 КБ

IKW20N60T - характеристики, поставщики

Последняя цена 481 руб.

Техническая документация