ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS84W-7-F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BSS84W-7-F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSS84W-7-F
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: SOT323, АБ
МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1868257
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.02
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.35мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
50 V
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Base Product Number
BSS84 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
45pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)
200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 100mA, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Длина
2.2мм
Типичное время задержки выключения
18 нс
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичная входная емкость при Vds
45 пФ при -25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
130mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
200mW
Rds On - Drain-Source Resistance
10О© @ 100mA,5V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
50V
Vgs - Gate-Source Voltage
2V @ 1mA
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35мм
Height
1мм
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.13
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
10000@5V
Maximum Drain Source Voltage (V)
50
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Small Signal
Standard Package Name
SOT-323
Supplier Package
SOT-323
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
45(Max)@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
18
Typical Turn-On Delay Time (ns)
10
Automotive
Yes
Military
No
Package Height
0.95
Package Length
2.15
Package Width
1.3
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
10
Maximum IDSS (uA)
1
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Supplier Temperature Grade
Automotive
Техническая документация
Datasheet BSS84W-7-F , pdf
, 102 КБ
Datasheet , pdf
, 592 КБ