ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5551TFR - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N5551TFR
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N5551TFR
Последняя цена
59 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1852377
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.24
Base Product Number
2N5551 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Power - Max
625mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160V
Maximum DC Collector Current
600mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
160V
Pd - Power Dissipation
625mW
Pd - рассеивание мощности
625 mW
Вид монтажа
Through Hole
Высота
4.7 mm
Длина
4.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.6 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
160 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.6 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2000
Серия
2N5551
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
TO-92-3 Kinked Lead
Ширина
3.93 mm
Другие названия товара №
2N5551TFR_NL
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.2 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 336 КБ
Datasheet , pdf
, 334 КБ
