FCPF400N80Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 6,9А, 35,7Вт, TO220F, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild добавила семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов SuperFET® II с использованием технологии Super Junction. Он обеспечивает лучшую в своем классе производительность корпусных диодов в импульсных источниках питания переменного и постоянного тока (SMPS), таких как серверы, телекоммуникации, вычислительная техника, промышленные источники питания, ИБП / ESS, солнечные инверторы, осветительные приборы, которые требуют высокой плотности мощности. , эффективность и надежность системы.
Используя передовую технологию балансировки заряда, разработчики достигают более эффективных, экономичных и высокопроизводительных решений, которые занимают меньше места на плате и повышают надежность.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FCPF400N80Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1832668

Технические параметры

Вес, г

1.77

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.9мм

Height

16.07мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220F

Width

4.9мм

Серия

SuperFET II

Длина

10.36мм

Высота

16.07мм

Размеры

10.36 x 4.9 x 16.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

FCPF400 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное рассеяние мощности

35,7 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

340 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1770 пФ при 100 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

35.7W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.1mA

Maximum Continuous Drain Current

11 А

Maximum Power Dissipation

35,7 Вт

Series

SuperFET II

Typical Gate Charge @ Vgs

43 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Типичное время задержки выключения

51 нс

Типичное время задержки включения

20 нс

Типичный заряд затвора при Vgs

43 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

11A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

35.7W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 1.1mA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 660 КБ

FCPF400N80Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 6,9А, 35,7Вт, TO220F - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация