ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TF412ST5G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА, -1.5 В, SOT-883, JFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
TF412ST5G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TF412ST5G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА, -1.5 В, SOT-883, JFET
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
TF412ST5G
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1828050
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-883
Напряжение Пробоя Vbr
-30В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
-1.5В
Тип Транзистора
JFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
3мА
Вес, г
0.079
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
1.2мА
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Техническая документация
Datasheet TF412ST5G , pdf
, 304 КБ