SI5517DU-T1-GE3, Микросхема, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 62 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI5517DU-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819605

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А, 7,2 А

Максимальное рассеяние мощности

8,3 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.98мм

Высота

0.85мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мОм, 131 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Длина

3.08мм

Типичное время задержки выключения

40 нс

Тип корпуса

PowerPAK ChipFET

Размеры

3.08 x 1.98 x 0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

8 ns, 20 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл при 8 В, 9,1 нКл при 8 В

Типичная входная емкость при Vds

455 пФ при -10 В, 520 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Техническая документация

Datasheet SI5517DU-T1-GE3 , pdf , 237 КБ
Datasheet SI5517DU-T1-GE3 , pdf , 222 КБ

SI5517DU-T1-GE3, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 62 руб.

Техническая документация