ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STL60N10F7, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STL60N10F7, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STL60N10F7, Транзистор
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ H7, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STL60N10F7
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819603
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
PowerFLAT
Transistor Material
Si
Length
5.4mm
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET H7
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Power Dissipation
5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.35mm
Height
0.95mm
Maximum Drain Source Resistance
16.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet STL60N10F7 , pdf
, 1287 КБ
