ZVP2106GTA, Микросхема, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 169 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVP2106GTA

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819593

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.156

Максимальный непрерывный ток стока

450 мА

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Высота

1.65мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

6.7мм

Типичное время задержки выключения

12 ns

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7 ns

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

100 пФ при 18 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet ZVP2106GTA , pdf , 414 КБ
Datasheet ZVP2106G , pdf , 447 КБ

ZVP2106GTA, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 169 руб.

Техническая документация