ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW40N65M2, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW40N65M2, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW40N65M2, Транзистор
Последняя цена
1050 руб.
Сравнить
Описание
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW40N65M2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819529
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
32 A
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.6V
Длина
15.75мм
Серия
MDmesh M2
Типичное время задержки выключения
96,5 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
56,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2355 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 421 КБ