ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXMN6A25KTC, Транзистор TO-252 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXMN6A25KTC, Транзистор TO-252
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZXMN6A25KTC, Транзистор TO-252
Последняя цена
83 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXMN6A25KTC
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819431
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Brand
DiodesZetex
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
10.7 A
Maximum Power Dissipation
9.85 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22mm
Height
2.39mm
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet ZXMN6A25KTC , pdf
, 801 КБ