ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD16NF06LT4, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD16NF06LT4, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD16NF06LT4, Транзистор
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD16NF06LT4
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819180
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
85 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.6мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
20 нс
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
STMicroelectronics
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7,5 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
370 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 357 КБ
Datasheet STD16NF06LT4 , pdf
, 330 КБ
