ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMP3056LSS-13, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMP3056LSS-13, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMP3056LSS-13, Транзистор
Последняя цена
88 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор с каналом P, 30 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DMP3056LSS-13
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819120
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.851
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4.1мм
Высота
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
5.3мм
Типичное время задержки выключения
26.5 ns
Тип корпуса
SOP
Размеры
5.3 x 4.1 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,4 нс
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
13.7 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
722 пФ при -25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 596 КБ