ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXMN2B14FHTA, MOSFET N-CHANNEL 20V 4.3A SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXMN2B14FHTA, MOSFET N-CHANNEL 20V 4.3A SOT23
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZXMN2B14FHTA, MOSFET N-CHANNEL 20V 4.3A SOT23
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 12 В до 28 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXMN2B14FHTA
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1817009
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
1.12мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
3.04мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-8 В, +8 В
Тип корпуса
SOT-23
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 4,5 В
Maximum Continuous Drain Current
4,3 А
Maximum Power Dissipation
1,5 Вт
Width
1.4мм
Техническая документация
Datasheet ZXMN2B14FHTA , pdf
, 417 КБ
Datasheet ZXMN2B14FHTA , pdf
, 422 КБ
Datasheet , pdf
, 436 КБ