ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDPF10N50UT, ТРАНЗИСТОР - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDPF10N50UT, ТРАНЗИСТОР
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDPF10N50UT, ТРАНЗИСТОР
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDPF10N50UT
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816372
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.9мм
Высота
16.07мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1,05 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.36мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
46 ns
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
18 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
850 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FDPF10N50UT , pdf
, 704 КБ
