ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3700(F), Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK3700(F), Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK3700(F), Транзистор
Последняя цена
570 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, серия 2SK, Toshiba
MOSFET-транзисторы, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK3700(F)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816283
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 C
Вес, г
5.09
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.8мм
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Toshiba
Минимальная рабочая температура
-55 C
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Серия
2SK
Тип корпуса
TO-3PN
Материал транзистора
Кремний
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Страна происхождения
JP
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet 2SK3700(F) , pdf
, 265 КБ