SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 105 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI5935CDC-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816087

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

3,8 A

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.7мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

156 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.1мм

Типичное время задержки выключения

25 ns

Тип корпуса

1206 ChipFET

Размеры

3.1 x 1.7 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7 nC @ 5 V

Типичная входная емкость при Vds

455 пФ при -10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Техническая документация

Datasheet SI5935CDC-T1-GE3 , pdf , 246 КБ
Datasheet , pdf , 242 КБ

SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 105 руб.

Техническая документация