IRF2204SPBF, Микросхема, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 503 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF2204SPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816059

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

170 А

Максимальное рассеяние мощности

200 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

62 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл

Типичная входная емкость при Vds

5890 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRF2204SPBF , pdf , 333 КБ

IRF2204SPBF, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 503 руб.

Техническая документация