ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR8314TRPBF, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR8314TRPBF, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR8314TRPBF, Транзистор
Последняя цена
163 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR8314TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815992
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
90А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0016Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.7В
Вес, г
0.4
Линейка Продукции
HEXFET Series
Техническая документация
Datasheet IRFR8314TRPBF , pdf
, 544 КБ